Все о гелевых аккумуляторах

Выкл. Автор Александр Хилько
Все о гелевых аккумуляторах

Особенности строения гелевых аккумуляторов и принцип их действия

Гелевые АкБ относятся к аккумуляторам второго поколения и имеют вид герметичных пластмассовых емкостей. Вместо жидкого электролита в них используется гелеобразный наполнитель, имеющий вид желе, получаемого при смешивании раствора серной кислоты со специальным загустителем (силикагелем, а именно – двуокисью кремния SiO2). Методика изготовления гелевых аккумуляторов так и называется — GEL. Гелевые аккумуляторы категорически запрещено вскрывать, что никогда и не требуется, потому как они достаточно просты в эксплуатации и не требуют каких-то особых видов обслуживания.

Следует обратить внимание, что силикагель SiO2 обращается в гель при помощи специальных присадок. Для этого электролит, будучи в жидком состоянии, разливается по сегментам аккумуляторных корпусов, где и застывает в течение последующих 48 часов. При застывании в получившемся веществе образуются микропоры, которые отлично рекомбинируют газы. Отлично можно разглядеть структуру строения аккумулятора, а также уровень электролита в том случае, если корпус батареи будет прозрачным. Для малообслуживаемой АкБ прозрачный корпус являет собой весьма удачное решение.

Данный вид АкБ был разработан в первую очередь для использования в Вооруженных Силах, потому как он:

  • прост в эксплуатации;
  • может выдерживать сильнейшие перегрузки;
  • неприхотлив в хранении;
  • может работать даже при частичном повреждении, к примеру, если в него попадает пуля или осколок боеприпаса.

 

Положительные качества гелевых аккумуляторов заключаются в:

  • полноценном восстановлении из состояния глубокого разряда, причем даже в тех случаях, когда зарядка производится не сразу после непосредственной глубокой разрядки, а со значительным временным перерывом;
  • надежности в использовании при режиме циклирования;
  • отличной устойчивости к высоким температурным условиям;
  • пониженной саморазрядности;
  • использовании в них сверхустойчивого полимерного сепаратора параллельно со стекловолокном в целях повышения эксплуатационных качеств.

Для сравнения отметим, что АкБ третьего поколения полностью герметичны и оснащены сепараторами с абсорбированным электролитом.

Впервые революционная технология по изготовлению АкБ батарей Absorptive Glass Mat была представлена широкой публике во второй половине ХХ века специалистами одного из лидеров в технологиях АкБ, компанией Johnson Controls Inc. В частности, речь шла о начале применения в производстве гелевых батарей поглощающего стекловолокна. И опять же первым местом, где начали применяться данные батареи, стала военная техника. В частности, с 1985 г. аккумуляторами, изготовленными по технологии Absorptive Glass Mat стали оснащаться бомбардировщики стратегического назначения В2 и легкие истребители F18.

Технология с применением абсорбирующего стеклянного наполнителя идет под аббревиатурой AGM. В Акб, изготовленных по данной технологии плюсовые и минусовые электроды разделены схожим со стекловатой стекловолоконным наполнителем, которая заливается сорбентом сернокислотного раствора. Электролит в ней придерживается посредством капиллярных свойств жидкости. Пожалуй, в этом и кроется главное конструктивное различие меж аккумуляторными батареями AGM и GEL.

АкБ, произведенные по технологии AGM, выпускаются как в спиральных, так и в плоских конфигурациях. Следует оговориться, что выпуск данной продукции в спиральном варианте более широко налажен в США, в то время, как плоская конфигурация практикуется в основном на территории Евросоюза. В настоящее время наиболее популярными аккумуляторами данных разновидностей являются AGM для ИБП, основанных на плоской электродной конфигурации.

В современных АкБ процесс рекомбинации повышен до 96–98%, что свидетельствует о том, что химические свойства электролита в них с течением времени остаются практически неизменны. А высокая мощность и то, что батареи типа AGM имеют свойство переносить большое количество разрядно-зарядных циклов, достигается при помощи сравнительно низкого электрического сопротивления данных устройств.